本报讯 IBM、特许半导体制造公司、英飞凌科技和三星电子四家公司日前宣布，基于各方协作开发的45纳米低功耗制程技术推出第一种实用硅电路(silicon-functional circuit)和设计包。

　　第一种采用45纳米技术的电路融合了多种高性能和低功耗设计，主要用于下一代通信系统，并已在使用这种制程技术的硅片上得到了验证。45纳米节点设备的性能表现至少比65纳米节点高出30%，该制程技术由合作联盟的成员联合开发，并由设在纽约州的IBM 300毫米晶元生产线制造。成功通过验证的模块中包括英飞凌提供的标准库单元和I/O组件，以及由联盟开发的嵌入式存储器。英飞凌在第一批300毫米晶元上安装了特殊的电路，用于调试复杂的加工过程以获得产品架构交互方面的经验。据悉，45纳米低功耗制程有望在2007年年底之前在特许、IBM和三星 300mm的工厂中完成安装并通过全面质量鉴定。